Erbium related centers in CZ-silicon

W. Jantsch, H. Przybylinska, Yu Suprun-Belevich, M. Stepikhova, G. Hendorfer, L. Palmetshofer

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftKonferenzartikelBegutachtung

5 Zitate (Scopus)

Abstract

CZ Si implanted with Er shows the same cubic crystal field splitting of the 1.54 μm luminescence as FZ-Si together with other, defect- and oxygen correlated Er complexes. The cubic centers exhibit somewhat shorter radiative life- and excitation times. The 100 times higher luminescence yield of CZ samples is thus attributed to the improved incorporation and to the passivation of recombination centers. The latter conclusion is supported by DLTS results which indicate complicated annealing behaviour.

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)609-614
Seitenumfang6
FachzeitschriftMaterials Science Forum
Jahrgang196-201
Ausgabenummerpt 2
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1995
Extern publiziertJa
VeranstaltungProceedings of the 1995 18th International Conference on Defects in Semiconductors, ICDS-18. Part 1 (of 4) - Sendai, Jpn
Dauer: 23 Jul 199528 Jul 1995

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