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Electron paramagnetic resonance and Coulomb gap in HgSe:Fe

  • Z. Wilamowski*
  • , W. Jantsch
  • , G. Hendorfer
  • *Korrespondierende/r Autor/-in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

20 Zitate (Scopus)

Abstract

The temperature and concentration dependence of the EPR absorption due to the Fe3+ state in HgSe is shown to be consistent with a Coulomb gap in the defect density of states. The latter is a consequence of inter-ion Coulomb interaction which renders a correlated ground state with short-range order of the partially ionised resonant donors. Possible mechanisms for a decrease of both the mobility and the EPR intensity for very high iron concentrations in this ordered, glass-like state are discussed.

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer058
Seiten (von - bis)S266-S269
FachzeitschriftSemiconductor Science and Technology
Jahrgang5
Ausgabenummer3 S
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1990

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